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机译:沿InAlAs [00 1]方向的有序结构
Opto-Electronics Laboratory, Mitsubishi Chemical Corporation, 1000, Higashi-Mamiana, Ushiku-City, Ibaraki 300-1295, Japan;
A1. Ordering; A2. Natural super lattice; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. InAlAs; B1. InAlGaP; B1. In compounds; B2. Ⅲ-Ⅴ materials;
机译:高密度自组装InAs量子点在InP(00l)衬底上经调压的InAlAs多层结构上的生长
机译:APS -APS 2017年3月会议-事件-InP / InAlAs和InGaAsP / InAlAs QW结构的正态和反向界面跃迁中线性极化的功率和温度相关的光致发光研究
机译:刻蚀和未刻蚀的InAlAs / InGaAs / InAlAs变质高电子迁移率晶体管结构的二维电子气比较
机译:MESA结构的Ingaas / Inalas光电导电天线,用于THz时域系统,在1.5μm处运行
机译:结构化变异性和时间异质性限制了运动方向的皮质代码
机译:基于台面结构的聚酰亚胺钝化InAlAs / InGaAs APD的制备与表征
机译:魁北克文学作品辞典,在莫里斯·莱米尔的指导下。第一卷,从起源到1900年;第二卷,1900-1939;第三卷,1940-1959。蒙特利尔,Fides,1978年,1980年,1982年; 918页,1363页,1252页。 $ 40.00; $ 55.00; $ 60,00。