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机译:优化的9 x 2英寸MOVPE反应器,用于生长含铝的锑
Fraunhofer Institute for Solar Systems ISE, Heidenhofstrasse 2, D-79110 Freiburg, Germany;
A3. Metalorganic vapor-phase epitaxy; A3. Organometallic vapor-phase epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials; B3. Solar cells;
机译:作为氮化铝生长优化工具的MOVPE反应器中外延生长的数值模拟
机译:生长温度和衬底取向对MOVPE生长用于多结太阳能电池的稀氮化物-锑化物材料的影响
机译:长波长应用中含锑合金材料的Movpe生长
机译:SB基半导体的MOVPE生长在9 * 2英寸行星电抗器中
机译:在砷化镓/砷化铝镓DBR上设计,生长和优化基于2微米铟镓铟/锑化铝镓量子阱的VECSEL。
机译:MOVPE紧密耦合喷头反应器中的喷头-样品距离(GAP)对GaN生长的影响
机译:淋浴喷头 - 样本距离(间隙)在Movpe关闭耦合淋浴喷头反应器对GaN生长的影响
机译:协作研究与开发(CR&D)。任务顺序0050:分子束外延生长研究优化锑化物基异质结构