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机译:锰注入的n型Ge的磁性
Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, The Chinese Academy of Sciences, P.O. Box 912, Beijing 100083, China;
A1. ferromagnetism; A3. ion implantation; B2. Mn_xGe_(1-x);
机译:铁磁锰注入Si_(1_x)Ge_x薄膜的结构和磁性质的相关性
机译:铁磁锰注入Si_(1-x)Ge_x薄膜的结构和磁性相关
机译:铁磁锰注入GaP:微观结构与磁性能
机译:(07C315)Mn植入的6H-SiC单晶的磁性性能
机译:磁场效应和自组装n型纳米结构可增加有机光伏中的电荷收集。
机译:n型多孔硅的受控形貌和光学性质:磁场和电极辅助LEF的影响
机译:MN植入N型GE的研究