In_(0.25)Ga_(0.75)As growth on low-temperature thin buffer layers formed on GaAs (001) substrate

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• 来源
  《Journal of Crystal Growth》 |2003年第2期|p.126-130|共5页
• 作者

  Z.C. Zhang; S.Y. Yang; F.Q. Zhang; B. Xu; Y.P. Zeng; Y.H. Chen; Z.G. Wang;

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• 作者单位

  Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, People's Republic of China;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 晶体学;
• 关键词

  A1. dislocation; A1. interfaces; A1. strain; A3. molecular beam epitaxy; B2. semiconductor Ⅲ-Ⅴ materials;

  机译：A1。错位;A1。接口;A1。应变;A3。分子束外延B2。半导体Ⅲ-Ⅴ材料;