1070nm and 1118nm high power lasers grown with partial strain balancing

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• 来源
  《Journal of Crystal Growth》 |2003年第2期|p.348-353|共6页
• 作者

  J.S. Roberts; A.G. Cullis; J. Sarma; P.L. Tihanyi;

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• 作者单位

  Department of Electronic Engineering, University of Sheffield, Mappin Street, Sheffield S1 3JD, UK;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 晶体学;
• 关键词

  A3. quantum wells; B2. semiconducting Ⅲ―Ⅴ materials; B3. lasers;

  机译：A3。量子阱B2。半导体Ⅲ〜Ⅴ材料;B3。雷射;