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Advances in the modeling of MOVPE processes

机译:MOVPE过程建模的进展

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摘要

The paper reviews the progress in the modeling of metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) of various Ⅲ―Ⅴ compounds. The recent studies focused on chemical gas-phase and surface phenomena have made possible the development of a global MOVPE model capable of predicting the growth rate and crystal composition within a 10% accuracy for some commercial reactors. New approaches and perspective trends in MOVPE simulations are discussed.
机译:本文综述了各种Ⅲ〜Ⅴ化合物的金属有机气相外延(MOVPE)建模的进展。最近针对化学气相和表面现象的研究使得开发全球MOVPE模型成为可能,该模型能够预测某些商业反应器的生长速率和晶体组成,其准确度在10%以内。讨论了MOVPE仿真中的新方法和透视趋势。

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