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首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >Structure characteristics of InGaN quantum dots fabricated by passivation and low temperature method
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Structure characteristics of InGaN quantum dots fabricated by passivation and low temperature method

机译：钝化低温法制备的InGaN量子点的结构特征

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Passivation and low temperature method was carried out to grow InGaN/GaN quantum dots (QDs). Atomic force microscope observations were performed to investigate the evolution of the surface morphology of the InGaN QDs superlattices with increasing the superlattices layer number. The result shows that the size of the QDs increases with increasing superlattices layer number. The QDs height and diameter increase from 18 and 50 nm for the monolayer InGaN QDs to 37 and 80 nm for the four-stacked InGaN QDs layers, respectively. This result is considered to be due to the stress held from the sub-layer dots.
机译：进行了钝化和低温方法以生长InGaN / GaN量子点（QD）。进行原子力显微镜观察以调查InGaN QDs超晶格的表面形态随超晶格层数的增加而变化。结果表明，量子点的尺寸随着超晶格层数的增加而增加。 QD的高度和直径从单层InGaN QD的18和50 nm分别增加到四层InGaN QDs层的37和80 nm。该结果被认为归因于从子层点保持的应力。

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