Uniformity of 4H-SiC epitaxial layers grown on 3-in diameter substrates

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• 来源
  《Journal of Crystal Growth》 |2003年第2期|p.113-122|共10页
• 作者

  Johji Nishio; Mitsuru Hasegawa; Kazutoshi Kojima; Toshiyuki Ohno; Yuuki Ishida; Tetsuo Takahashi; Takaya Suzuki; Tomoyuki Tanaka; Kazuo Arai;

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• 作者单位

  Corporate Research and Development Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8582, Japan;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 晶体学;
• 关键词

  A1. doping; A3. chemical vapor deposition processes; A3. hot wall epitaxy; A3. vapor phase epitaxy; B2. semiconducting silicon compounds;

  机译：A1。掺杂;A3。化学气相沉积工艺;A3。热壁外延;A3。气相外延;B2。半导体硅化合物;