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首页> 外文期刊>Journal of Electronic Materials >Advances in Composition Control for 16 μm LPE P-on-n HaCdTe Heterojunction Photodiodes for Remote Sensing Applications at 60K
【24h】

Advances in Composition Control for 16 μm LPE P-on-n HaCdTe Heterojunction Photodiodes for Remote Sensing Applications at 60K

机译：用于60K遥感应用的16μmLPE P-n-n HaCdTe异质结光电二极管的成分控制研究进展

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With good composition control in both p-type cap and n-type base LPE layers, it is possible to make barrier-free two-layer P-on-n HgCdTe heterojunction photodiodes with very long cutoff wavelengths. Diode arrays with good R_oA operability, good quantum efficiency, and low 1/f noise at 60K have been demonstrated at cutoff wavelengths to 16.3 Um. The diode performance continues to improve at lower temperatures, following a diffusion-current trend to at least 35K. Measured R_oA values of 2 x 10~5 ohm-cm~2 for an 18 μm cutoff at 35K are the highest reported at this very long wavelength. A simple defect model applied to the area dependence of R_oA at 40K implied a defect areal density of 3 x 10~4 cm~-2 and a defect impedance of 3 x 10~6 ohm.
机译：通过在p型盖和n型基础LPE层中都进行良好的成分控制，可以制造截止波长很长的无障碍两层P-on-n HgCdTe异质结光电二极管。已经证明，在截止波长为16.3 Um的情况下，具有良好的R_oA可操作性，良好的量子效率和低1 / f噪声的二极管阵列。随着扩散电流趋势至少达到35K，二极管性能在较低温度下继续提高。在此非常长的波长下，对于18μm截止点，在3K下测得的R_oA值为2 x 10〜5 ohm-cm〜2。一个简单的缺陷模型应用于40K下R_oA的面积依赖性，意味着缺陷面密度为3 x 10〜4 cm〜-2，缺陷阻抗为3 x 10〜6 ohm。

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