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首页> 外文期刊>Zeitschrift fur Anorganische und Allgemeine Chemie >Neue ternäre Käfigverbindungen aus den Systemen Barium—Indium/Zink/Cadmium—Germanium: Zintl-Verbindungen mit Phasenbreite?
【24h】

Neue ternäre Käfigverbindungen aus den Systemen Barium—Indium/Zink/Cadmium—Germanium: Zintl-Verbindungen mit Phasenbreite?

机译：钡-铟/锌/镉-锗系统中的新三元笼连接：具有相位宽度的Zintl连接？

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Systematische Untersuchungen in den Systemen Barium—Indium/Zink/Cadmium—Germanium führten zur Darstellung einer Reihe neuer ternärer, elektrovalent zusammengesetzter Varianten des A_8X_(46)-Clathrat-Ⅰ-Typs. Sie kristallisieren kubisch in der Raumgruppe Pm3n. Für Ba_8In_(16)Ge_(30) (a = 1 075,8 pm), Ba_8Zn_8Ge_(38) (a = 1082,0 pm) und Ba_8Cd_8Ge_(38) (a = 1 096,0 pm) wurden die Strukturen röntgenographisch aus Einkristalldaten bestimmt. Die Verbindungen lassen sich im Rahmen des Zintl-Konzepts beschreiben und sind Halbleiter, wie Messungen der Temperaturabhängigkeit der elektrischen Leitfähigkeit belegen. Die Phasenanalysen zeigten, daß sich ein Teil des 2B- bzw. 3B-Metalls durch Germanium substituieren läßt, wobei die Ladungsbilanz durch "Einbau von Lücken" in die Strukturen ausgeglichen wird. Es entstehen Defektvarianten des A_8X_(46)-Typs. Die Grenzzusammensetzungen liegen bei Ba_8In_4Ge_9[]_3Ge_(30) (a = 1084,9 pm), Ba_8Zn_4Ge_(10)[]_2Ge_(30) (a = 1073,6 pm) und Ba_8Cd_4Ge_(10)[]_2Ge_(30) (a = 1082,0 pm).%By systematic investigations in the systems barium—indium/zinc/cadmium—germanium we found a couple of new electrovalent ternary compounds with A_8X_(46) clathrate (Ⅰ) type structures. They crystallize cubically in space-group Pm3n. For Ba_8In_(16)Ge_(30) (a = 1075.8 pm), Ba_8Zn_8Ge_(38) (a = 1082.0 pm) and Ba_8Cd_8Ge_(38) (a = 1096.0 pm) the structures were verified by X-ray single crystal diffraction data. According to valence and bounding distances the new clathrates should be Zintl compounds. Measurements of the temperature dependence of the electrical resistivity proved, that they are in- deed semiconductors. A part of the 2B/3B metal atoms can be substituted by germanium. Charge balance will be retained by creation of vacancies in the A_8X_(46) type structures. By phase analysis the limits of the composition range were determined as Ba_8In_4Ge_9[]_3Ge_(30) (a = 1084.9 pm), Ba_8Zn_4Ge_(10)[]_2Ge_(30) (a = 1073.6 pm) and Ba_8Cd_4Ge_(10)[]_2Ge_(10) (a = 1082.0 pm).
机译：在钡-铟/锌/镉-锗系统中的系统研究导致出现了许多新的由A_8X_（46）-clathrate-Typs类型的三价电价组成的变体。它们在空间群Pm3n中立方结晶。对于Ba_8In_（16）Ge_（30）（a = 1 075.8 pm），Ba_8Zn_8Ge_（38）（a = 1082.0 pm）和Ba_8Cd_8Ge_（38）（a = 1 096.0 pm），对结构进行X射线检查确定单晶数据。这些连接可以在Zintl概念的框架内描述，并且是半导体，因为可以测量电导率对温度的依赖性。相分析表明，部分2B或3B金属可以被锗取代，电荷平衡通过结构中的“结合间隙”来平衡。出现A_8X_（46）类型的缺陷变体。极限组成为Ba_8In_4Ge_9 [] _ 3Ge_（30）（a = 1084.9 pm），Ba_8Zn_4Ge_（10）[] _ 2Ge_（30）（a = 1073.6 pm）和Ba_8Cd_4Ge_（10）[] _ 2Ge_（30）（ a = 1082.0 pm）。％通过对钡-铟/锌/镉-锗体系的系统研究，我们发现了一些具有A_8X_（46）笼形（Ⅰ）型结构的新型电价三元化合物。它们在空间群Pm3n中立方结晶。对于Ba_8In_（16）Ge_（30）（a = 1075.8 pm），Ba_8Zn_8Ge_（38）（a = 1082.0 pm）和Ba_8Cd_8Ge_（38）（a = 1096.0 pm），通过X射线单晶衍射数据验证了结构。根据化合价和边界距离，新的包合物应为Zintl化合物。电阻率与温度的关系的测量证明它们是感应半导体。 2B / 3B金属原子的一部分可以被锗取代。电荷余额将通过在A_8X_（46）类型结构中创建空位来保留。通过相分析确定组成范围的极限为Ba_8In_4Ge_9 [] _ 3Ge_（30）（a = 1084.9 pm），Ba_8Zn_4Ge_（10）[] _ 2Ge_（30）（a = 1073.6 pm）和Ba_8Cd_4Ge_（10）[] _ 2 （10）（a = 1082.0 pm）。

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