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マイクロ?ナノ工学

机译:微/纳米工程

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摘要

a. MEMS 材料 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)rn回路の表面に低温で成膜できるSi-Ge,SiCrnなどの薄膜からなるデジタルミラー,AFMプロープなどのデrnバイスが発表された.さらに,Si-Ge膜でデバイスをパッケーrnジすることも検討された(IMEC).薄膜の内部応力を制御?rn低減する成膜プロセス技術の成熟による.
机译:MEMS材料CMOS(互补金属氧化物半导体)rn宣布了可以在低温下在电路表面形成由Si-Ge和SiCrn等薄膜制成的数字镜,以及宣布了AFM探针等设备。另外,还考虑了用Si-Ge膜封装器件(IMEC)。这是由于控制薄膜内部应力的成膜工艺技术的成熟所致。

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    《日本機械学会誌》 |2010年第1101期|p.663-664|共2页
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