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An approach to the three-dimensional simulations of the Bosch process

机译：博世过程的三维模拟方法

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摘要

The Bosch process is a high-speed, deep reactive ion etching technology for silicon, which has both excellent flexibility and selectivity. For better understanding and control of the time evolution of the feature profile during the Bosch process, an accurate, predictive, and fast simulation tool would be useful. In this article, a simplified model for three-dimensional simulation of the Bosch process is proposed. Etching is modeled by an isotropic etching rate superposed by an anisotropic term. For the passivation cycle, a perfect conformal deposition is assumed corresponding to a constant deposition rate. Level set method was used for tracking the surface evolution. Since the etching and deposition rates are the model input parameters which are not computed, the computational time is significantly reduced. Calculation results presented here illustrate some typical applications of the Bosch process.
机译：博世工艺是一种用于硅的高速，深度反应离子刻蚀技术，具有出色的柔韧性和选择性。为了更好地理解和控制Bosch过程中特征档案的时间演变，使用准确，可预测和快速的仿真工具将非常有用。在本文中，提出了用于博世过程三维仿真的简化模型。蚀刻通过各向同性蚀刻速率与各向异性项叠加来建模。对于钝化循环，假定对应于恒定沉积速率的理想保形沉积。水平集方法用于跟踪表面演变。由于蚀刻和沉积速率是未计算的模型输入参数，因此可大大减少计算时间。此处显示的计算结果说明了博世过程的一些典型应用。

著录项

  • 来源
    《Journal of Materials Research》 |2012年第5期|p.793-798|共6页
  • 作者

    Branislav Radjenovic; Marija Radmilovic-Radjenovic;

  • 作者单位

    Institute of Physics, University of Belgrade, Pregrevica 118, 11080 Belgrade, Serbia;

    Institute of Physics, University of Belgrade, Pregrevica 118, 11080 Belgrade, Serbia;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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