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Epitaxial CoSi_2 formation using an oxynitride buffer layer

机译：使用氧氮化物缓冲层形成外延CoSi_2

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We investigated the epitaxial growth of CoSi_2 (100) on an Si (100) substrate using a modified oxide mediated epitaxy (OME) method to overcome the disadvantages of the OME method. These disadvantages are sensitivity of Co films to contamination by oxygen and the need for reiterating the film growth process to obtain thicker films. To solve these problems, nitrogen atoms were incorporated into chemically grown oxide (SiO_x) by NH_3 plasma treatment prior to the deposition of a Co film on the oxynitride buffer layer using the metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method. Subsequently, ex situ rapid thermal annealing was performed to grow Co-silicide at a temperature between 400 ℃ and 700 ℃ for 1 min. The results show that the diffusion of Co was effectively controlled by the oxynitride buffer layer without the formation of additional SiO_x in between Co and Si. Our findings indicate that by using an oxynitride buffer layer, CoSi_2 films can be grown epitaxially despite the fact that the initial Co film was exposed to oxygen.
机译：我们研究了使用改良的氧化物介导的外延（OME）方法在Si（100）衬底上外延生长CoSi_2（100）的方法，以克服OME方法的缺点。这些缺点是钴膜对氧气污染的敏感性，以及需要重复膜生长过程以获得较厚的膜。为了解决这些问题，在使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在氧化氮缓冲层上沉积Co膜之前，先通过NH_3等离子体处理将氮原子掺入化学生长的氧化物（SiO_x）中。随后，进行异位快速热退火，以在400℃至700℃之间的温度下生长1分钟的硅化钴。结果表明，通过氧氮化物缓冲层有效地控制了Co的扩散，而在Co和Si之间没有形成额外的SiO_x。我们的发现表明，通过使用氧氮化物缓冲层，尽管最初的Co膜暴露在氧气中，但CoSi_2膜仍可以外延生长。

著录项

  • 来源
    《Journal of Materials Research》 |2009年第8期|2705-2710|共6页
  • 作者

    Jaesang Lee; Keunwoo Lee; Dongock Kim; Taeyong Park; Honggyu Kim; Hyeongtag Jeon;

  • 作者单位

    Division of Nano-scale Semiconductor Engineering, Hanyang University, Seoul 133-791, Korea;

    Semiconductor R&D Division, Samsung Electronics Company, Yongin, Gyeonggi-Do 445-701, Korea;

    Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 133-791, Korea;

    Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 133-791, Korea;

    Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 133-791, Korea;

    Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 133-791, Korea;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
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  • 正文语种 eng
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