• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Journal of Materials Research >Doping, compensation, and photosensitivity of detector grade CdTe
【24h】

Doping, compensation, and photosensitivity of detector grade CdTe

机译：探测器级CdTe的掺杂，补偿和光敏性

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

We studied the resistivity, photosensitivity, photoluminescence, and surface photovoltage of CdTe crystals doped with Ge or Sn to extend our knowledge of the influence of the deep-donor level on compensation and afterglow effects. We demonstrated a strong correlation between photosensitivity caused by photoelectrons with Fermi-level variations near the Ge_(Cd)~(0/2+) or Sn_(Cd)~(0/2+) energy levels. Surface photovoltage measurements confirmed that when the concentration of residual acceptors varied along the direction of growth, then trapping conditions dramatically changed as a defect was converted from a neutral state to doubly charged positive one.
机译：我们研究了掺Ge或Sn的CdTe晶体的电阻率，光敏性，光致发光和表面光电压，以扩展我们对深施主能级对补偿和余辉效应的影响的知识。我们证明了在Ge_（Cd）〜（0/2 +）或Sn_（Cd）〜（0/2 +）能级附近具有费米能级变化的光电子引起的光敏性之间存在很强的相关性。表面光电压测量结果证实，当残余受体的浓度沿生长方向变化时，捕获条件急剧变化，因为缺陷从中性状态转变为双电荷正电荷。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号