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机译:二氧化铈浆料中磨料粒度和聚丙烯酸分子量对浅沟槽隔离化学机械平面化中SiO_2 / Si_3N_4薄膜去除选择性的影响
Nano-SOI Process Laboratory, Hanyang University, Seoul 133-791, Korea;
机译:在浅沟槽隔离化学机械平面化(STI CMP)中用构象控制的聚丙烯酸去除Si_3N_4膜的限制
机译:纳米二氧化铈多晶浆料的粒度和磨料尺寸对浅沟槽隔离化学机械抛光的影响
机译:原子力显微镜研究聚丙烯酸分子量在化学机械平面化中用于浅沟槽隔离的作用
机译:磨蚀形态和表面活性剂在纳米纤维浆料中的浅沟隔离化学机械抛光作用
机译:二氧化硅,钨和浅沟隔离化学机械平面化工艺与垫微纹理,调节圆盘型和年龄,摩擦学,流体动力学和动力学相关的新型研究
机译:分子量和聚丙烯酸浓度对胶原仿生矿化的影响
机译:纳米复印件对浅沟槽隔离化学机械抛光的表面活性剂加入对烟雾二氧化硅和二氧化硅浆料的依赖性