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Improvement of CuAlO_2 thin film electrical conduction by the anisotropic conductivity

机译：通过各向异性电导率改善CuAlO_2薄膜的导电性

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CuAlO_2 thin films with (015) preferential orientation growth have been synthesized on quartz substrates using radio frequency (rf) magnetron sputtering at low temperature. Via the optimized postannealing condition (in N_2 preserved ambient at 900 ℃ for 5 h), the preferential orientation of the films changes from (015) to (001) direction. The use of a higher conductivity at the ab plane of CuAlO_2 compared with that along the c axis, reduces the resistivity of the film at room temperature to 37 Ω·cm from that of the as-deposited, 4.62 × 10~4 Ω·cm. The positive Hall coefficient ( + 183.6 cm~3/C) and the large mobility (4.07 cm~2/V·s) suggest that CuAlO_2 thin films are p-type semiconductors with good conduction path. The temperature dependence of conductivity indicates that CuAlO_2 thin films obey a thermal-activation theory when the temperature is above 190 K, but below 185 K a two-dimension variable-range hopping mechanism becomes dominant.
机译：在低温下，采用射频（rf）磁控溅射在石英衬底上合成了具有（015）优先取向生长的CuAlO_2薄膜。通过优化的后退火条件（在900℃的N_2环境中保持5h），薄膜的优先取向从（015）向（001）方向变化。与沿c轴相比，在CuAlO_2的ab平面上使用更高的电导率可使膜在室温下的电阻率从沉积时的4.62×10〜4Ω·cm降低到37Ω·cm。 。正霍尔系数（+ 183.6 cm〜3 / C）和大迁移率（4.07 cm〜2 / V·s）表明，CuAlO_2薄膜是具有良好导电路径的p型半导体。电导率的温度依赖性表明，当温度高于190 K时，CuAlO_2薄膜遵循热活化理论，而低于185 K时，二维变程跳变机理就占主导地位。

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