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【24h】

Nitrate-based metalorganic deposition of CeO_2 on yttria-stabilized zirconia

机译：氧化钇稳定的氧化锆上基于硝酸盐的CeO_2金属有机沉积

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An aqueous nitrate metalorganic deposition (MOD) process was used to form a 30-nm-thick c-axis-textured ceria (CeO_2) layer on a yttria-stabilized zirconia (YSZ) single-crystal substrate. X-ray diffraction showed the CeO_2 layer was an (001) oriented film with a co-scan full width at half-maximum of 1.47 deg . The average roughness of the ceria films, measured by atomic force microscopy, was about 5 nm. Critical current densities of up to 3.6 X 10~6 A/cm~2 were measured on a 0.35-mu m Ba_2YCu_3O_(7-x) (YBCO) layer deposited over this cap layer using a trifluoroacetate (TFA)-based MOD ex situ process. The physical vapor deposition-derived ceria cap layer used in the most common coated conductor buffer layer stacks may be replaced by such a MOD processed film.
机译：硝酸盐金属有机沉积（MOD）工艺用于在氧化钇稳定的氧化锆（YSZ）单晶衬底上形成30纳米厚的c轴织构二氧化铈（CeO_2）层。 X射线衍射表明CeO_2层是（001）取向的薄膜，在1.47度半最大值处具有共同扫描的全宽度。通过原子力显微镜测量，二氧化铈膜的平均粗糙度为约5nm。使用原位基于三氟乙酸（TFA）的MOD在沉积在该覆盖层上的0.35微米Ba_2YCu_3O_（7-x）（YBCO）层上测得的临界电流密度高达3.6 X 10〜6 A / cm〜2处理。最常见的涂覆导体缓冲层堆叠中使用的源自物理气相沉积的二氧化铈覆盖层可以由这种MOD处理的膜代替。

著录项

  • 来源
    《Journal of Materials Research》 |2006年第1期|p.1-4|共4页
  • 作者

    D.E. Wesolowski; M.J. Cima;

  • 作者单位

    Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 工程材料学;
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