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Low-temperature processable inherently photosensitive polyimide gate dielectric for organic thin-film transistors: Synthesis, characterization, and application to transistors

机译：用于有机薄膜晶体管的低温可处理的固有光敏性聚酰亚胺栅极电介质：合成，表征和在晶体管中的应用

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Low-temperature processable inherently photosensitive polyimide was prepared from a dianhydride, 3,3',4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, and aromatic diamines, 4,4'-diamino-3, 3'dimethyl-diphenylmethane, through a polycondensation reaction, followed by a chemical imidization method. The photosensitive polyimide cured at 180 deg C is used as a gate dielectric to fabricate flexible organic thin-film transistors with pentacene as an active semiconductor on polyethersulfone substrate. With the inherently photosensitive polyimide, the access to the gate electrode could be created easily without complicated and expensive lithographic techniques. A field effect carrier mobility of 0.007 cm~2/V s was obtained for the pentacene organic thin-film transistors (OTFTs) with the photo-patterned polyimide as a gate dielectric. More detailed analysis for the pentacene OTFTs will be given with electrical properties of the thin polyimide film. Low-temperature processability and patternability of the polyimide give us more freedom to choose plastic substrates in OTFTs and facilitate the realization of low-cost organic electronics.
机译：可通过缩聚反应由二酐，3,3'，4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐和芳族二胺，4,4'-二氨基-3、3'二甲基-二苯基甲烷制备可低温加工的固有光敏性聚酰亚胺。 ，然后采用化学酰亚胺化方法。在180摄氏度下固化的光敏聚酰亚胺用作栅极电介质，以在聚醚砜基板上以并五苯作为活性半导体制造柔性有机薄膜晶体管。利用固有的光敏聚酰亚胺，无需复杂且昂贵的光刻技术就可以容易地形成对栅电极的访问。对于以光图案化聚酰亚胺为栅极电介质的并五苯有机薄膜晶体管（OTFT），场效应载流子迁移率为0.007 cm〜2 / V s。并五苯OTFT的更详细的分析将通过聚酰亚胺薄膜的电性能给出。聚酰亚胺的低温加工性和可图案化性为我们提供了更多选择OTFT中塑料衬底的自由，并有助于实现低成本的有机电子产品。

著录项

  • 来源
    《Journal of Materials Research》 |2005年第4期|p.931-939|共9页
  • 作者

    Seungmoon Pyo; Hyunsam Son; Mi Hye Yi;

  • 作者单位

    Polymeric Nanomaterials Laboratory, Korea Research Institute of Chemical Technology, Daejeon 305-600, Korea;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 工程材料学;
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