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Etching of zirconium oxide, hafnium oxide, and hafnium silicates in dilute hydrofluoric acid solutions

机译：在稀氢氟酸溶液中蚀刻氧化锆，氧化ha和硅酸ha

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摘要

Oxides and silicates of zirconium and hafnium are actively being considered and tested to replace SiO_2 as the gate material. Though these materials have the high-dielectric constant (k approx 20-25) needed to provide a larger equivalent oxide thickness, they are very refractory and difficult to etch by wet and dry methods. In this paper, work done on wet etching of ZrO_2, HfO_2, and HfSi_xO_y in dilute hydrofluoric acid (HF) solutions is presented and discussed. Experiments were done on various high-k films deposited by metalorganic chemical vapor deposition. It was found that the as-deposited high-k films can be dissolved with a good selectivity over SiO_2 in dilute HF solutions, but heat-treated high-k films are difficult to etch with good selectivity over SiO_2 under the same conditions.
机译：锆和ha的氧化物和硅酸盐正在积极考虑和测试，以取代SiO_2作为栅极材料。尽管这些材料具有提供较大的等效氧化物厚度所需的高介电常数（k约为20-25），但它们非常难熔，难以通过湿法和干法蚀刻。本文介绍并讨论了在稀氢氟酸（HF）溶液中湿法腐蚀ZrO_2，HfO_2和HfSi_xO_y的工作。对通过金属有机化学气相沉积法沉积的各种高k膜进行了实验。已经发现，所沉积的高k膜可以在稀HF溶液中以比SiO_2更好的选择性溶解，但是在相同条件下，热处理后的高k膜在SiO_2上很难以良好的选择性蚀刻。

著录项

  • 来源
    《Journal of Materials Research》 |2004年第4期|p.1149-1156|共8页
  • 作者

    Viral Lowalekar; Srini Raghavan;

  • 作者单位

    Department of Materials Science and Engineering, The University of Arizona, Tucson, Arizona 85721;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 工程材料学;
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