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机译:SrTiO_3缓冲层的微观结构及其对YBa_2Cu_3O_(7-δ)包覆导体的超导性能的影响
Superconductivity Technology Center, Los Alamos National Laboratory, Los Alamos, New Mexico 87545;
机译:YBa_2Cu_3O_(7-δ)涂层导体的Gd_2Zr_2O_7 / Y_2O_3缓冲层的外延生长
机译:卷对卷直流反应溅射对YBa_2Cu_3O_(7-δ)涂层导体的Ce_2Y_2O_7缓冲层的外延生长
机译:直接在IBAD-MgO上作为缓冲层的相分离,自组装LaMnO_3-MgO纳米复合膜的评估,以增强Yba_2Cu_3O_(7-δ)涂层导体的通量钉扎
机译:YBa_2Cu_3O_(7-δ)涂层导体的PI-MOCVD原始缓冲层
机译:通过有机金属分解过程生长用于涂覆导体的锰酸镧缓冲层。
机译:BaSnO3和BaZrO3钉扎中心的高速率PLD衍生GdBa2Cu3O7-δ涂层导体的微结构和超导性能
机译:YBa 2 Cu 3 O 3-δ涂层导体的氧化物缓冲层和超导层的化学溶液沉积
机译:用于涂覆导体的氧化钇稳定氧化锆缓冲层沉积的新方法(后印刷)。