机译:分布陷阱状态对顶部和底部接触有机场效应晶体管特性的影响
Leibniz Institute for Solid State and Materials Research Dresden, PF 270016, D-01171 Dresden, Germany;
机译:陷阱对基于改性聚苯撑-亚乙烯基的顶部和底部接触场效应晶体管的影响
机译:2-巯基-5-硝基苯并咪唑处理对底部接触有机场效应晶体管电子特性的影响
机译:Au顶部接触电极的空穴注入势垒不可重现的根源及其对顶部接触有机场效应晶体管中器件性能的影响
机译:具有全氟聚合物涂层的底栅/顶接触型聚合物基有机场效应晶体管的极高电稳定性
机译:分析低压p型,新材料n型和双通道有机场效应晶体管的器件特性。
机译:凹版印刷薄有机电介质的高性能柔性底栅有机场效应晶体管
机译:具有底部源极和漏极触点的有机电荷捕获内存晶体管