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Effect of doping level during rapid thermal processing of multilayer structures

机译：多层结构快速热处理过程中掺杂水平的影响

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A numerical model has been developed to examine the temperature history of a multilayer wafer undergoing rapid thermal processing (RTP) for various doping densities. Partial transparency and thin film interference effects are considered. Doping levels from ~ l0~l5 to ~ 10~l8 cm~-3 are examined. Numerical temperature predictions of the lightly doped wafer are compared with experimental measurements. Heating rates for the lightly doped wafer fluctuate due to partial transparency effects and reach a maximum of ~50 deg. C/s. The heavily doped wafer sees a maximum heating rate of ~l00 deg. C/s. Because the wafers are opaque above 700 deg. C regardless of their level of doping, al1 wafers reach steady state at ~845 deg. C.
机译：已经开发了一种数值模型来检查经历各种掺杂密度的快速热处理（RTP）的多层晶片的温度历史。考虑了部分透明性和薄膜干涉效应。检查了从〜l0〜l5到〜10〜l8 cm〜-3的掺杂水平。将轻掺杂晶片的数值温度预测值与实验测量值进行比较。轻度掺杂晶片的加热速率由于部分透明性的影响而波动，最高达到约50度。 C / s。重掺杂晶片的最大加热速率约为100度。 C / s。因为晶片在700度以上是不透明的。不论其掺杂水平如何，Al1晶圆在约845度达到稳态。 C。

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