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Electrical characterisation of Ag/poly(3-hexylthiophene)/silicon nanowires Schottky diode

机译：Ag / Poly（3-己基噻吩）/硅纳米线肖特基二极管的电气表征

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The electrical properties of Ag/Poly(3-hexylthiophene)/Silicon nanowires heterostructure (Ag/P3HT/SiNWs) were investigated. Silicon nanowires (SiNWs) were obtained by metal-assisted chemical etching method in one-step process. P3HT polymer was deposited on SiNWs surfaces by electroless deposition method for different immersion durations (d_(im)). The morphology of SiNWs before and after deposition of P3HT polymer has been examined by scanning electron microscope (SEM). The formation of nanowires as well as the presence of P3HT on their surfaces can be seen in SEM images. Current-voltage (Ⅰ-Ⅴ) measurements were carried out on Ag/P3HT/SiNWs by varying d_(im) from 30 to 210 min. The electrical measurements on the different junctions at room temperature showed a rectifying effect. For 30 min, the ideality factor of the Schottky diode was reduced from 4 to 1,4. By using the Cheung method, the diode parameters of the different structures are determined and discussed. The different hetrostructures have been annealed at 100 °C, 200 and 300 °C. The characteristic parameters were calculated as a function of annealing temperature. The optimum temperature for these heterostructures characteristics is 100 °C. The interface states, the trapping levels and the thermal activation of the free carriers are the main factors involved in the conduction phenomenon through Ag/P3HT/SiNWs heterostructures.
机译：研究了Ag / poly（3-己基噻吩）/硅纳米线异质结构（Ag / p3ht / sinws）的电性能。通过金属辅助化学蚀刻方法在一步法中获得硅纳米线（SINW）。通过无电沉积方法在SinWS表面上沉积P3HT聚合物，用于不同的浸渍持续时间（D_（IM））。通过扫描电子显微镜（SEM）检查了P3HT聚合物之前和沉积P3HT聚合物前后的SinW的形态。在SEM图像中可以看出纳米线的形成以及它们表面上的P3HT存在。通过从30至210分钟的改变D_（IM）在AG / P3HT / SINW上进行电流 - 电压（Ⅰ-Ⅳ）测量。室温下不同连接点的电测量显示出整流效果。 30分钟，肖特基二极管的理想因子从4到1,4降低。通过使用Cheung方法，确定并讨论不同结构的二极管参数。在100°C，200和300℃下，不同的Hetrostructure已经退火。作为退火温度的函数计算特征参数。这些异质结构特性的最佳温度为100℃。接口状态，捕获水平和游离载体的热激活是通过Ag / p3ht / sinws异质结构涉及导通现象的主要因素。

著录项

  • 来源
    《Journal of materials science》 |2020年第19期|16352-16359|共8页
  • 作者

    M.Rahmani; A.Meftah;

  • 作者单位

    Unite de nanomateriaux et photonique Departement de Physique Faculte des Sciences de Tunis Universite de Tunis El Manar 2092 El Manar Tunis Tunisia Institut superieur d'informatique et de gestion de Kairouan Universite de Kairouan Avenue Khemais El Alouini 3100 Kairouan Tunisia;

    Unite de nanomateriaux et photonique Departement de Physique Faculte des Sciences de Tunis Universite de Tunis El Manar 2092 El Manar Tunis Tunisia;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
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  • 正文语种 eng
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