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Effect of doping and in-composition on gain of long wavelength Ⅲ-nitride QDs

机译:掺杂和配混对长波长Ⅲ族氮化物量子点增益的影响

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摘要

In this work, we calculate material gain for long wavelength Ⅲ-nitride InN and AIInN quantum dot (QD) structures. Strain and QD inho-mogeneity are included in the calculations. The study covers (800-2300 nm) wavelength range which is important in optical communications. While p-doping is shown to be efficient to increasing gain, changing QD size (especially QD radius) is more efficient to vary wavelength. The results predicted that n-doped QD structures are promises for broad band laser applications.
机译:在这项工作中,我们计算了长波长Ⅲ型氮化物InN和AIInN量子点(QD)结构的材料增益。计算中包括应变和QD非均质性。该研究涵盖(800-2300 nm)波长范围,这在光通信中很重要。虽然显示出p掺杂可以有效地增加增益,但是改变QD尺寸(尤其是QD半径)对于改变波长更有效。结果预测,n掺杂的QD结构有望用于宽带激光器。

著录项

  • 来源
    《Journal of Optics》 |2012年第4期|214-223|共10页
  • 作者单位

    Physics Department, Science College, Al-Muthana University, Samawah, Iraq;

    Physics Department, Science College, Babylon University, Hillah, Iraq;

    Nassiriya Nanotechnology Research Laboratory (NNRL), Science College, Thi-Qar University, Nassiriya, Iraq;

  • 收录信息 美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    quantum dot(QD); Ⅲ-nitride(Ⅲ-N); wetting layer(WL);

    机译:量子点Ⅲ-氮化物(Ⅲ-N);润湿层(WL);

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