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Laplacian Growth Models for Porous Silicon Formation-Stability Analysis

机译：用于多孔硅形成的拉普拉斯生长模型-稳定性分析

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We develop a Laplacian mobel of interface growth which includes basicfeatures of the anodisation of silicon in hybrofluoric acid. Our aim is to find mechanisms for the characteristic properties of porous silicon formation, such as the transition from electropolishing to pore formation and the typical pore distance. THe local etching rate of the interface between the semiconductor and the electrolyte is determined by the local current density.We model the diffusive transport of charge carriers in the semiconductor and of reactants in the electrolyte including the basic features of the electrochemical reaction at the interface. A linear stability analysis of a flat and planar interface is performed in order to study the initial state of pore formation.
机译：我们开发了界面生长的拉普拉斯算子，其中包括氢氟酸中硅阳极氧化的基本功能。我们的目标是找到形成多孔硅的特性的机制，例如从电抛光到孔形成的过渡以及典型的孔距。半导体和电解质之间界面的局部蚀刻速率取决于局部电流密度。我们对半导体中载流子和电解质中反应物的扩散传输进行建模，包括界面处电化学反应的基本特征。为了研究孔形成的初始状态，对平面和平面界面进行了线性稳定性分析。

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