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二次イオン質量分析法を用いた有機材料分析における装置的な課題と展望

机译:使用二次离子质谱法分析有机材料中的仪器问题和观点

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摘要

二次ィォン質量分析法(Secondary Ion Mass Spectrometry: SIMS)は,固体表面に一次イオンビームを照射し,スパッタリング現象により発生する二次ィォンを質量分析することで,試料を構成する原子あるいは分子の,質量スぺクトル•質量ィメージ.深さプロフアイルなどを取得する分析手法である.固体表面からの二次ィォン放出現象を分析目的で応用する歴史は古く,最初の報告例は1949年まで遡る〉.その後SIMSは,半導体産業の発展に伴い,1960年代半ばに急速に発展•普及した.一般に,10~12 ions/cm~2前後の一次ィ才ン照射量をスタティック限界とし,これを超えるものをダイナミックSIMS,それ以下の照射量で行われるものをスタティックSIMSと呼ぶ.初期のSIMSは,単原子イオンを一次プローブとし,質量分析部には二重収束型あるいは四重極型を用いるダイナミックSIMSが一般的であった.
机译:二次离子质谱仪(SIMS)用一次离子束照射固体表面,并对通过溅射现象产生的二次离子进行质量分析。质谱•质谱图像。一种用于获取深度轮廓等的分析方法。出于分析目的,从固体表面应用二次离子发射现象的历史悠久,最早报道的案例可追溯到1949年>从那时起,随着半导体工业的发展,SIMS在1960年代中期迅速发展并普及,通常将10〜12离子/ cm 2的一次离子剂量设定为静态极限并超过该极限。动态SIMS和静态SIMS的剂量要小于此剂量,初始SIMS将单原子离子用作主要探针,并将双聚焦或四极型动态SIMS用于质量分析单元。很常见。

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