Adsorption of the Au Atom on Si(001) Surface

Weiwei Ju; Tongwei Li

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Adsorption of the Au Atom on Si(001) Surface

机译：Si（001）表面上金原子的吸附

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The adsorption of Au on clean Si(001) surface is investigated by the local density approximation using first-principles pseudopotentials. We found that the adsorption energy of Au on ideal Si(001)-(1 x 1) surface is lower than that on reconstructed Si(001 )-(2 x 1) surface, suggesting that adsorbed Au atoms chemically react with the surface Si atoms and break Si-Si dimer bonds of the substrate. Furthermore, the intermixing of Au and Si is also considered and the calculation suggests that intermixing will not take place at low temperature. But due to the small energy barrier for Au atoms to diffuse into Si substrate, we can conclude that the Au-Si alloy is easily formed at relatively high temperature. This result should be one of the reasons of the lack of consensus on the issue of intermixing of Au and Si.

机译：通过使用第一性原理假电位的局部密度近似研究了在干净的Si（001）表面上Au的吸附。我们发现理想的Si（001）-（1 x 1）表面上的Au吸附能比重建的Si（001）-（2 x 1）表面上的Au吸附能低，表明吸附的Au原子与表面Si化学反应原子并破坏衬底的Si-Si二聚体键。此外，还考虑了Au和Si的混合，并且计算表明在低温下不会发生混合。但是由于金原子扩散到硅衬底中的能量垒很小，我们可以得出结论，金-硅合金很容易在相对较高的温度下形成。该结果应该是在Au和Si的混合问题上缺乏共识的原因之一。

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来源
《Key Engineering Materials》 |2007年第pt3期|p.2521-2523|共3页
作者
Weiwei Ju; Tongwei Li;
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作者单位

Department of Mathematics and Physics, Henan University of Science and Technology, Luoyang 453007, China;

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类工程基础科学;
关键词
Si; Au; surface; dimer; intermixing;

机译：硅;金;表面;二聚体;混合;

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