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【24h】

Dioelectric properties of NiO-Doped BaTiO_3 sintered with different oxygen partial pressure

机译：不同氧分压烧结NiO掺杂BaTiO_3的介电性能

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The NiO-doped BaTiO_3 is sintered at 1290 deg.C. the oxygen partial pressure in the sintering atmosphere varies from 10~4 to 6*10~8 atm. The Ni metal can be formed as the oxygen partial pressure is below 10~6 atm. The solubility limit of NiO in BaTiO_3 is about 0.13 wt /100. The solubility is independent of oxygen partial pressure. As the added NiO content is above the solubility limit, the microstructure is refined. The dielectric constant at room temperature is enhanced due to the refined microstructure.
机译：掺杂NiO的BaTiO_3在1290℃下烧结。烧结气氛中的氧分压在10〜4至6 * 10〜8 atm之间变化。当氧分压低于10〜6 atm时可形成Ni金属。 NiO在BaTiO_3中的溶解度极限约为0.13 wt / 100。溶解度与氧分压无关。当添加的NiO含量超过溶解度极限时，微结构会细化。精细的微观结构提高了室温下的介电常数。

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