...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>The Korean journal of chemical engineering >Epitaxial gallium nitride thin films grown on silicon substrates utilizing gallium nitride seed-layer formed by liquid source precursor
【24h】

Epitaxial gallium nitride thin films grown on silicon substrates utilizing gallium nitride seed-layer formed by liquid source precursor

机译：利用由液体源前驱物形成的氮化镓种子层在硅衬底上生长的外延氮化镓薄膜

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Gallium nitride (GaN) epitaxial thin films were deposited on Si substrates by a modified hydride vapor phase epitaxy (MHVPE) technique utilizing the GaN seed-layer formed from liquid source precursor. Tris N,N-dimeth-yldithiocarbamato gallium(III) (Ga(mDTC)_3) powder was dissolved in chloroform (CHCl_3) to prepare the liquid source precursor for seed-layer formation. The developed method was found to be suitable for the epitaxial growth of GaN on Si in spite of the large mismatch in lattice constants and thermal expansion coefficients, resulting in device-quality epitaxial films with fairly smooth surface morphology. The epitaxial GaN films obtained in this study had a hexagonal structure with (0002) preferred orientation with the FWHM value of 428.6 arcsec of the (0002) GaN XRD peak. Pho-toluminescence spectra of GaN films exhibited a strong and sharp peak at 3.41 eV with the FWHM value of 107 meV.
机译：氮化镓（GaN）外延薄膜通过改进的氢化物气相外延（MHVPE）技术利用由液态源前驱物形成的GaN籽晶层沉积在Si衬底上。将Tris N，N-二甲基-二硫代氨基甲酸镓（III）（Ga（mDTC）_3）粉末溶解在氯仿（CHCl_3）中，以制备用于形成种子层的液体源前体。尽管晶格常数和热膨胀系数存在很大的不匹配，但发现该开发的方法仍适用于在Si上进行GaN的外延生长，从而得到具有相当光滑表面形态的器件质量的外延膜。在这项研究中获得的外延GaN膜具有六方结构，具有（0002）择优取向，其FWHM值为（0002）GaN XRD峰的428.6 arcsec。 GaN薄膜的光致发光光谱在3.41 eV处显示出强烈而尖锐的峰，FWHM值为107 meV。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号