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Etude des propriétés électroniques des phases cristallisées du système As_2Te_3-GeTe

机译:As_2Te_3-GeTe体系结晶相的电子性质研究

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摘要

Les propriétés électroniques des phases cristallisées du système As_2Te_3-GeTe ont été étudiées en associant plusieurs méthodes expérimentales : spectrométrie Mossbauer, spectroscopie de photo-électrons X (XPS), spectroscopie d'absorption X (XAS), et les résultats ont été interprétés par un calcul basé sur la méthode des liaisons fortes (LF) en considérant la structure expérimentale des matériaux. Nous avons mis en évidence les relations entre la structure électronique locale du tellure et son environnement. Les résultats expérimentaux ont été interprétés par l'existence de deux environnements différents pour le tellure : pyramidal et octaédrique. Il est ainsi possible de distinguer les atomes de tellure inter-couches et intra-couches. Les techniques utilisées permettent d'établir la structure électronique de As_2Te_3 et de comprendre l'évolution de la bande de valence.%The electronic properties of the crystalline layered phases As_2Ge_nTe_(3+n) of the system As_2Te_3-GeTe have been experimentally studied by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), X-ray absorption spectroscopy (XAS) and ~(125)Te Moessbauer spectroscopy. The results are discussed using a tight-binding calculation. Moessbauer spectroscopy and XAS can be combined to analyse the local electronic structure of the Te atoms. The shapes of the Moessbauer spectra and of the first XAS peak are explained by the existence of two very different local environments for the Te atoms which are found inside and at the edges of the layers, respectively. Then, the total density of states of As_2Te_3, is derived, including both the valence and the bottom of the conduction bands. This analysis allows to recognize the different atomic contributions to each experimental peak.
机译:通过结合多种实验方法研究了As_2Te_3-GeTe体系的结晶相的电子性质:莫斯鲍尔光谱法,X射线光电子能谱(XPS),X射线吸收光谱(XAS),并用通过考虑材料的实验结构,基于强键(LF)方法进行计算。我们已经强调了碲的本地电子结构与其环境之间的关系。碲存在两种不同的环境:金字塔形和八面体,解释了实验结果。因此可以区分层间和层内碲原子。通过使用这些技术,可以建立As_2Te_3的电子结构并了解价带的变化。%通过实验研究了As_2Te_3-GeTe体系的结晶层状相As_2Ge_nTe_(3 + n)的电子性质。 X射线光电子能谱(XPS),X射线吸收光谱(XAS)和〜(125)Te Moessbauer光谱。使用紧密绑定计算来讨论结果。 Moessbauer光谱和XAS可以结合起来分析Te原子的局部电子结构。 Moessbauer光谱的形状和第一个XAS峰的形状可以通过在两个Te原子的内部和边缘分别存在两个非常不同的局部环境来解释。然后,得出As_2Te_3的态的总密度,包括导带的价态和底部。这种分析可以识别出对每个实验峰的不同原子贡献。

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