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Electrical properties of gallium arsenide surfaces and interfaces treated by Ru(3+) ions

机译：Ru（3+）离子处理的砷化镓表面和界面的电学性质

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摘要

The current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics of Al-GaAs and Al/p-GaAs diodes on GaAs substrate treated by Ru~(3+) ions are investigated and compared with characteristics of GaAs diodes on GaAs untreated substrates. The diodes does not have to show an ideal behaviour of I-V characteristic with an ideality factor of 1.13 and barrier height of 0.85 eV and 0.6 eV for Al-GaAs and Al/p-GaAs diodes respectively. The forward bias saturation current found with a big value (10~(10) A, 10~(12) A) in the Al-GaAs (untreated) Schottky diodes compared with Al-GaAs (treated) diodes. Contrary the forward bias saturation current found with a small value (110~(-7)A, 10~(-6)A) in the Al/p-GaAs (untreated) Schottky diodes compared with Al/p-GaAs (treated) diodes. The energy distribution of interface states was determined from the forward bias /(V) characteristics. The interface states density found large in the Al/GaAs (treated by Ru~(3+) ions) structure comparing with the Al/GaAs (untreated) structure. In parallel with electrical measurement, the Ru~(3+) adsorption on treated GaAs surfaces was controlled by photoelectrochemical and electrochemical measurements and by Auger analysis.
机译：研究了Ru〜（3+）离子处理后的GaAs衬底上的Al / n-GaAs和Al / p-GaAs二极管的电流-电压（IV）和电容-电压（CV）特性，并将其与GaAs二极管在电流上的特性进行了比较。 GaAs未处理的基板。对于Al / n-GaAs和Al / p-GaAs二极管，二极管不必表现出理想的I-V特性，理想系数为1.13，势垒高度分别为0.85 eV和0.6 eV。与未处理的Al / n-GaAs二极管相比，在Al / n-GaAs（未处理）肖特基二极管中发现的正向偏置饱和电流值大（10〜（10）A，10〜（12）A）。与在Al / p-GaAs（未处理）的肖特基二极管中发现的正向偏置饱和电流相反（110〜（-7）A，10〜（-6）A小）二极管。界面态的能量分布由正向偏压/（V）特性确定。与Al / GaAs（未处理）结构相比，在Al / GaAs（经Ru〜（3+）离子处理）结构中发现的界面态密度大。与电学测量同时，通过光电化学和电化学测量以及俄歇分析法控制处理后的GaAs表面上Ru〜（3+）的吸附。

著录项

  • 来源
    《Materials Chemistry and Physics.》 |2009年第1期|1-5|共5页
  • 作者

    H. Mazari; Z. Benamara; K. Ameur; N. Benseddik; O. Bonnaud; R. Olier; B. Gruzza;

  • 作者单位

    Laboratoire de Microelectronique Appliquee, Departement d'electronique, Universite Djillali Liabes de Sidi Bel-Abbes, 22000 Sidi Bel-Abbes, Algeria;

    Laboratoire de Microelectronique Appliquee, Departement d'electronique, Universite Djillali Liabes de Sidi Bel-Abbes, 22000 Sidi Bel-Abbes, Algeria Laboratoire des Sciences des Materiaux pour l'Electronique et d'Automatique, Universite Blaise Pascal, Les Cezeaux, Clermont II, Aubiere Cedex, France;

    Laboratoire de Microelectronique Appliquee, Departement d'electronique, Universite Djillali Liabes de Sidi Bel-Abbes, 22000 Sidi Bel-Abbes, Algeria;

    Laboratoire de Microelectronique Appliquee, Departement d'electronique, Universite Djillali Liabes de Sidi Bel-Abbes, 22000 Sidi Bel-Abbes, Algeria;

    Groupe de Microelectronique et de Visualisation, Campus de Beaulieu, 35042 Rennes Cedex, France;

    UMR CNRS-UBO 652 chimie, electrochimie moleculaire et chimie analytique, Faculte des Sciences et Technique, 6 avenue Victor Le Gorgeu, 29285 Brest, France;

    Laboratoire des Sciences des Materiaux pour l'Electronique et d'Automatique, Universite Blaise Pascal, Les Cezeaux, Clermont II, Aubiere Cedex, France;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    schottky diodes; GaAs; Ru(3+); barrier height;

    机译：肖特基二极管;砷化镓;Ru（3+）;障碍高度;

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