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Dielectric properties of PLZT film-on-foil capacitors

机译：PLZT覆膜薄膜电容器的介电性能

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We have deposited Pb_(0.92)La_(0.08)Zr_(0.52)Ti_(0.48)O_3 (PLZT) films on nickel foils to create film-on-foil capacitor sheets. Measurements with PLZT films on LaNiO_3-buffered Ni foils yielded the following: relative permittivity =1300 and dielectric loss (tan δ) ≈0.05, leakage current density of 6.6× 10~(-9) A/cm~2 (at 25 ℃) and 1.4×10~(-8) A/cm~2 (at 150 ℃), and mean breakdown field strength >2.4 MV/cm. Based on the hysteresis loop measurement, an energy storage density of ≈17 J/cm~3 was obtained for such a capacitor at 50% of the mean breakdown field.
机译：我们已经在镍箔上沉积了Pb_（0.92）La_（0.08）Zr_（0.52）Ti_（0.48）O_3（PLZT）膜，以创建箔上膜电容器片。在LaNiO_3缓冲的Ni箔上用PLZT膜进行测量，结果如下：相对介电常数= 1300和介电损耗（tanδ）≈0.05，泄漏电流密度为6.6×10〜（-9）A / cm〜2（在25℃时）在150℃时为1.4×10〜（-8）A / cm〜2，平均击穿场强> 2.4 MV / cm。基于磁滞回线测量，在平均击穿场的50％时，这种电容器的储能密度约为≈17 J / cm〜3。

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