机译:电子定位在大厅 - Petch类型限制之外的纳米线金属中的可塑性
Department of Mechanical Engineering University of Manitoba Winnipeg MB R3T 5V6 Canada;
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Nanotwin; Plasticity; Stacking fault energy; Electron density;
机译:纳米孪生金纳米线的弹性应变极限中的强霍尔-Petch型行为。
机译:n型金属氧化物半导体单电子晶体管的电子极限很少
机译:n型GaAs中金属电导率的校正项mT1 / 2中的弱局部化,电子电子相互作用和塞曼自旋分裂效应的贡献
机译:金属n型InP半导体在极低温度和磁场作用下由于弱的局部化和电子-电子相互作用而产生的负磁阻
机译:使用非局部晶体可塑性预测金属的霍尔效应。
机译:从封面开始:界面可塑性控制着纳米结构金属的应变率敏感性和延展性
机译:n型金属氧化物半导体单电子晶体管的12个电子极限