机译:MgO中的位错反应和连接
Laboratoire de Structure et Proprietes de l'Etat Solide, UMR CNRS 8008, Universite de Lille 1, 59655 Villeneuve d'Ascq Cedex, France;
MgO single crystal; dislocation dynamics simulations; dislocations junctions;
机译:高温下MgO中的位错反应,塑性各向异性和森林强化
机译:失配位错对基于MgO的外延磁性隧道结的磁阻的影响
机译:基于载体密度的连续脱位动态的湮灭和结反应的实施
机译:通过部分还原反应获得的Ni-MgO和Co-MgO纳米复合膜的磁光性能
机译:具有MgO隧道势垒的垂直磁性隧道结
机译:MgO下层对外延Fe / GaOx /(MgO)/ Fe磁性隧道结结构中GaOx隧道势垒生长的影响
机译:通过插入MgO势垒来抑制Co2MnSi / MgO / n-GaAs和CoFe / MgO / n-GaAs结中的面内隧道各向异性磁阻效应