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Spin filtering in graphene nanoribbons with Mn-doped boron nitride inclusions

机译：含锰掺杂氮化硼夹杂物的石墨烯纳米带中的自旋过滤

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We investigate the spin filtering effects in graphene nanoribbons, where inclusions of hexagonal boron nitride were introduced together with substitutional magnetic impurities. The embedded Mn-doped boron nitride regions serve as quasi-OD islands of diluted magnetic semiconductor in the otherwise metallic graphene nanoribbon. Our first principle approach based on non-equilibrium Green's functions gives the polarization of the spin current for structures with one or two Mn impurities as a function of the applied bias. For the two impurity case, ferromagnetic and antiferromagnetic spin configurations of the magnetic impurities are considered. The spin resolved current indicates that the analyzed structures are suitable for spin filter applications or for spin current switching devices.
机译：我们研究了石墨烯纳米带中的自旋过滤效果，其中引入了六方氮化硼夹杂物以及替代性磁性杂质。嵌入的Mn掺杂的氮化硼区域在其他金属石墨烯纳米带中用作稀释的磁性半导体的准OD岛。我们基于非平衡格林函数的第一个原理方法给出了具有一个或两个Mn杂质的结构的自旋电流的极化，它是所施加偏压的函数。对于两种杂质的情况，考虑了磁性杂质的铁磁和反铁磁自旋构型。自旋分辨电流表明所分析的结构适用于自旋滤波器应用或自旋电流开关器件。

著录项

  • 来源
    《Materials Science and Engineering》 |2013年第19期|1347-1351|共5页
  • 作者

    G.A. Nemnes; S. Antohe;

  • 作者单位

    University of Bucharest, Faculty of Physics, 'Materials and Devices for Electronics and Optoelectronics' Research Center, P.O. Box MG-11, 077125 Magurele-Ilfov, Romania;

    University of Bucharest, Faculty of Physics, 'Materials and Devices for Electronics and Optoelectronics' Research Center, P.O. Box MG-11, 077125 Magurele-Ilfov, Romania;

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