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State of the art of high temperature power electronics

机译：高温电力电子技术的最新发展

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摘要

High temperature power electronics has become possible with the recent availability of silicon carbide devices. This material, as other wide-bandgap semiconductors, can operate at temperatures above 500 C, whereas silicon is limited to 150-200 C. Applications such as transportation or a deep oil and gas wells drilling can benefit. A few converters operating above 200 C have been demonstrated, but work is still ongoing to design and build a power system able to operate in harsh environment (high temperature and deep thermal cycling).
机译：随着碳化硅器件的最新可用性，高温功率电子器件已经成为可能。这种材料与其他宽带隙半导体一样，可以在500°C以上的温度下工作，而硅的温度限制在150-200°C。诸如运输或深油气井钻探等应用可能会受益。已经演示了一些工作在200 C以上的转换器，但是设计和构建能够在恶劣环境（高温和深热循环）下运行的电源系统的工作仍在进行中。

著录项

  • 来源
    《Materials Science and Engineering》 |2011年第4期|p.283-288|共6页
  • 作者

    Cyril Buttay; Dominique Planson; Bruno Allard; Dominique Bergogne; Pascal Bevilacqua; Charles Joubert; Mihai Lazar; Christian Martin; Herve Morel; Dominique Tournier; Christophe Raynaud;

  • 作者单位

    Universite de Lyon, Lyon, F-69003, France,INSA de Lyon, Villeurbanne, F-69621. France,Universite Lyon 1, Villeurbanne, F-69622, France,CNRS, UMR5005, Laboratoire Ampere, France;

    rnUniversite de Lyon, Lyon, F-69003, France,INSA de Lyon, Villeurbanne, F-69621. France,Universite Lyon 1, Villeurbanne, F-69622, France,CNRS, UMR5005, Laboratoire Ampere, France;

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  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    high-temperature electronics; power electronics; silicon carbide; semiconductor devices;

    机译：高温电子产品;电力电子;碳化硅半导体器件;

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