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机译:钛酸铋中镧离子取代的结构,介电常数和阻抗研究
Laser Materials Development and Devices Division, Raja Ramanna Centre for Advanced Technology, Indore 452013. India;
Solid State Physics Laboratory, Lucknow Road, Timarpur, Delhi 110054, India;
rnLaser Materials Development and Devices Division, Raja Ramanna Centre for Advanced Technology, Indore 452013. India F-14, LMDDD, RRCAT, Indore 452013, India;
layered ferroelectrics; grain boundaries; dielectric properties; impedance; oxygen-ion jump; relaxation;
机译:A-位取代基对铋相分界线形钛酸铋钠基陶瓷微结构和介电性能的影响
机译:晶粒尺寸对钕取代钛酸铋陶瓷的畴结构,介电和热极化的影响
机译:La3 +改性钛酸铋(BLT)通过溶胶 - 凝胶合成制备:结构,电介质,阻抗和铁电研究
机译:现场取代对钛酸钠基陶瓷铋基微观结构和介电性能的影响
机译:高度相关材料的X射线散射研究:三氟铜酸钾中的轨道有序和铋铁氧体外延薄膜中的条纹状畴结构。
机译:钛酸铋钠锆酸盐陶瓷的晶体结构和电性能
机译:晶粒尺寸对钕取代钛酸铋陶瓷的畴结构,介电和热极化的影响
机译:具有钙钛矿结构的陶瓷材料的电导率和介电性能以及钙钛矿系,钛酸锶钡和锆酸锶钡的固态反应研究技术报告1957年11月17日 - 1958年3月31日