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首页> 外文期刊>Materials Science and Engineering >Gigantic uphill drift of vacancies and self-interstitials in silicon
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Gigantic uphill drift of vacancies and self-interstitials in silicon

机译：硅中空位和自填隙的巨大上坡漂移

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Point defect transport in a growing crystal includes a drift along the temperature gradient, C, at a velocity αG. It was not clear if the drift is negligible or strong in silicon crystal growth. It is now found that reported microdefect patterns in crystals grown with a temporarily halt provide a clear evidence in favour of a strong (even gigantic) drift of both kinds of intrinsic point defects. The drift coefficients α_V (for vacancies) and α_1 (for self-interstitials) are deduced by fitting the simulating defect profiles to the observed location of halt-induced interstitial region immersed into a vacancy-type crystal.
机译：生长中的晶体中的点缺陷传输包括沿温度梯度C以速度αG的漂移。目前尚不清楚硅晶体生长中的漂移是否可以忽略不计或很大。现在发现，报告的在暂时停止生长的晶体中的微缺陷图案提供了清楚的证据，表明两种固有点缺陷都发生了强烈的（甚至是巨大的）漂移。通过将模拟缺陷轮廓拟合到浸入到空位型晶体中的停止诱导的间隙区域的观察位置，可以得出漂移系数α_V（对于空位）和α_1（对于自填隙）。

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