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首页> 外文期刊>Materials Science and Engineering. B, Solid-State Materials for Advanced Technology >Dynamic response of carbon nanotube field-effect transistors analyzed by S-parameters measurement
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Dynamic response of carbon nanotube field-effect transistors analyzed by S-parameters measurement

机译：通过S参数测量分析碳纳米管场效应晶体管的动态响应

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Carbon nanotube field-effect transistors (CN-FET) with a metallic back gate have been fabricated. By assembling a number of CNs in parallel, driving currents in the mA range have been obtained. The dynamic response of the CN-FETs has been investigated through S-parameters measurements. A current gain (|H_(21)|~2) cut-off frequency (f_t) of 8 GHz, and a maximum stable gain (MSG) value of 10 dB at 1 GHz have been obtained. The extraction of an equivalent circuit is proposed.
机译：已经制造了具有金属背栅的碳纳米管场效应晶体管（CN-FET）。通过并联组装多个CN，已获得mA范围内的驱动电流。已通过S参数测量研究了CN-FET的动态响应。已获得8 GHz的电流增益（| H_（21）| ~~ 2）截止频率（f_t），以及在1 GHz时的最大稳定增益（MSG）值为10 dB。建议提取等效电路。

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