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首页> 外文期刊>Materials Science and Engineering. B, Solid-State Materials for Advanced Technology >Local vibrations on hydrogen dimers in dilute SiGe crystalline solutions
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Local vibrations on hydrogen dimers in dilute SiGe crystalline solutions

机译：稀SiGe晶体溶液中氢二聚体的局部振动

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Atomic hydrogen is a concomitant impurity in semiconductors. Its presence in Si, Ge and SiGe alloys has been established by means of paramagnetic resonance, optical, electrical and theoretical modeling studies. Hydrogen self-trapping is known to occur in Si and Ge, resulting in the formation of molecular hydrogen and H_2~* interstitial dimers. Here we report on the properties of H_2~* complexes in dilute SiGe alloys, by using an ab initio density functional method. It is found that these complexes form preferentially within Si-rich regions. H_2~* dimers in Si-rich alloys show vibrational properties similar to those in pure Si. On the other hand, in Ge-rich material the minority Si atoms act as nucleation sites, with the consequent formation of at least one preferential H_2~* - Si defect variant, showing a distinct vibrational activity.
机译：原子氢是半导体中的伴随杂质。通过顺磁共振，光学，电学和理论模型研究已经确定了它在Si，Ge和SiGe合金中的存在。氢的自陷是发生在Si和Ge中，导致形成分子氢和H_2〜*间隙二聚体。在这里，我们使用从头算密度函数方法报告了稀SiGe合金中H_2〜*配合物的性质。发现这些络合物优先在富硅区域内形成。富硅合金中的H_2〜*二聚体显示出与纯硅中相似的振动特性。另一方面，在富含Ge的材料中，少数Si原子充当成核位点，因此形成至少一个优先的H_2〜* -Si缺陷变体，表现出明显的振动活性。

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