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【24h】

High-sensitivity and broadband PEDOT:PSS-silicon heterojunction photodetector

机译：高灵敏度和宽带PEDOT：PSS-Silicon异质结光电探测器

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Recently we have shown that the poly(3,4-ethylenedioxythiophene): polystyrene sulfonate PEDOT:PSS/silicon hybrid heterojunctions possess great potential for light detection applications. Here we report fabrication of a broadband and high sensitive detector in both photo-current and photo-voltage mode. We propose PEDOT:PSS/ silicon junction as a promising candidate for fabrication of high-sensitivity photodetector with responsivity as high as 90-230 mA/W in a broad range of incident light from UV to IR spectrum (from 350 to 950 nm), and responsivity up to 10~6 V/W in the self-powered photovoltage mode. The effect of organic layer conductivity on the responsivity of the detector is also studied here.
机译：最近我们已经表明，聚苯乙烯磺酸酯型：PSS /硅混合杂交杂交具有巨大的光检测应用潜力。 在这里，我们在光电流和光电电压模式下报告宽带和高敏感探测器的制造。 我们提出PEDOT：PSS /硅结作为高灵敏度光电探测器的承诺候选者，其具有响应性高达90-230 mA / W，从UV到IR光谱的广泛入射光（从350到950nm）， 并在自动光伏模式下响应高达10〜6 V / W。 这里还研究了有机层电导率对检测器的响应性的影响。

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