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首页> 外文期刊>The mediterranean journal of electronics and communications >X-Band 10 dB MESFET AMPLIFIER SIMULATIONS
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X-Band 10 dB MESFET AMPLIFIER SIMULATIONS

机译：X波段10 dB MESFET放大器仿真

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An amplifier has been developed operating at a central ftequency of 10 GHz. This amplifier is designed for X -band applications on AL_2O_3_ Ceramic substrate of thickness of 0.635 mm and relative permittivity of 9.8 . In this work we have developed different stub circuits to adapt at the input and the output of a transistor operating from 9 GHz to 11 GHz with theoretical calculations computed with Matlab. The results obtained with Ansoft Designer are agree well. The maximum gain is 4.71dB at 9 GHz without matching networks .With adaptations and conjugated adaptations simulations with Ansoft Designer inserting different networks give different results . The bandwidth is the largest of 1.5 GHz with a triple open stub input and a symmetrical open stub output the transistor and the gain is the higher of 10dB.The input amplifier VSWR is 1.046 at 10.07 GHz.
机译：已经开发出以10 GHz的中心频率工作的放大器。该放大器专为X波段应用而设计，其厚度为0.635 mm，相对介电常数为9.8，位于AL_2O_3_陶瓷基板上。在这项工作中，我们开发了不同的短截线电路，以适应Matlab在9 GHz至11 GHz范围内工作的晶体管的输入和输出。使用Ansoft Designer获得的结果非常一致。在没有匹配网络的情况下，在9 GHz时最大增益为4.71dB。通过自适应和共轭自适应，使用Ansoft Designer插入不同的网络进行仿真得到不同的结果。带宽是1.5 GHz的最大带宽，具有三路开路短截线输入和对称开路短截线输出的晶体管，增益更高，为10dB.10.07 GHz时的输入放大器VSWR为1.046。

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