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【24h】

0.5 keV Xe~+ ion beam nano smoothing of ULE® substrate after processing with 3.0-10.0 keV Xe~+ ion beam

机译：用3.0-10.0 keV Xe〜+离子束处理后的ULE®基板的0.5 keV Xe〜+离子束纳米平滑

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摘要

Ion beam figuring (IBF) is a suitable technology for the final shape correction of substrates used in the projection optics of EUVL tools. Generally the ULE~® substrate with surface roughness of 0.060-0.080 nm rms can be produced with mechanical machining methods. However, it is very difficult to obtain the shape accuracy of approximately 0.120 nm rms using mechanical machining methods. Therefore, ion beam figuring (IBF) may be adapted for the final shape correction of the substrates. In this paper, we investigated a method in which a low energy 0.5 keV Xe~+ ion beam is used for smoothing of ULE~® substrates which were first figured using high energy (3.0,5.0,7.0 and 10.0 keV) Xe-ions beams (1 mm diameter). The result shows that the ULE~® substrate is roughened by 3.0-10.0 keV Xe~+ ion beam (first stage processing) can be smoothened by 0.5 keV Xe~+ ion beam (second stage processing) and reached to 0.120 nm rms. Therefore, our proposed smoothing method is one of the best methods for the figure error correction of the ULE~® substrate for EUVL projection optics.
机译：离子束刻蚀（IBF）是一种适用于EUVL工具投影光学系统中的基板最终形状校正的技术。通常，可以使用机械加工方法生产表面粗糙度为0.060-0.080 nm rms的ULE〜®基板。但是，使用机械加工方法很难获得约0.120 nm rms的形状精度。因此，离子束修整（IBF）可以适合于基板的最终形状校正。在本文中，我们研究了一种方法，其中使用低能0.5 keV Xe〜+离子束对ULE〜®基底进行平滑处理，该基底首先使用高能（3.0、5.0、7.0和10.0 keV）Xe离子束进行了计算。 （直径1毫米）。结果表明，通过3.0-10.0 keV Xe〜+离子束对ULE〜®衬底进行粗糙化处理（第一阶段处理），可以通过0.5 keV Xe〜+离子束进行平滑处理（第二阶段处理），达到0.120 nm rms。因此，我们提出的平滑方法是用于EUVL投影光学系统的ULE〜®基板的图形误差校正的最佳方法之一。

著录项

  • 来源
    《Microelectronic Engineering》 |2011年第8期|p.2694-2696|共3页
  • 作者

    K. Morijiri; H. Endo; K. Morikaawa; SA Pahlovy I. Miyamoto;

  • 作者单位

    Department of Applied Electronics, Tokyo University of Science, 2641 Yamazaki. Noda, Chiba 278-8510, Japan;

    Department of Applied Electronics, Tokyo University of Science, 2641 Yamazaki. Noda, Chiba 278-8510, Japan;

    Department of Applied Electronics, Tokyo University of Science, 2641 Yamazaki. Noda, Chiba 278-8510, Japan;

    Department of Applied Electronics, Tokyo University of Science, 2641 Yamazaki. Noda, Chiba 278-8510, Japan;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    euvl optics; ule~® substrate; ion beam machining; surface roughness; xe~+ ion beam;

    机译：通用光学;ule〜®基板;离子束加工;表面粗糙度;xe〜+离子束;

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