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首页> 外文期刊>Microelectronic Engineering >Attenuated phase-shift mask for line patterns in EUV lithography
【24h】

Attenuated phase-shift mask for line patterns in EUV lithography

机译：用于EUV光刻的线条图案的衰减型相移掩模

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The printability of isolated line patterns was investigated through simulations. An attenuated phase-shift mask (att-PSM) in combination with annular illumination has the capability of printing 18-nm-long line patterns. The pattern edge contrast of aerial images and the focus latitude become larger as the attenuated reflectance increases in the evaluation region from 4.6 to 14.7%. An att-PSM with annular illumination has another advantage in that it provides a very small difference in line width due to the direction of off-axis incident light. Furthermore, varying the phase shift from 171 to 191° does not produce any significant shift in the focal point on a wafer.
机译：通过仿真研究了隔离线图案的可印刷性。结合环形照明的衰减相移掩模（att-PSM）具有打印18 nm长的线条图案的能力。随着评估区域中衰减反射率从4.6增至14.7％，航拍图像的图案边缘对比度和聚焦范围变大。具有环形照明的att-PSM的另一个优点是，由于离轴入射光的方向，它提供的线宽差异很小。此外，将相移从171°改变到191°不会在晶片上的焦点上产生任何明显的移位。

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