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Optimization of ferroelectric tunnel junction TFET in presence of temperature and its RF analysis

机译：温度条件下铁电隧道结TFET的优化及其RF分析

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This paper proposes a device incorporating ferroelectric tunnel junction which analyzes the concept of tunneling across a silicon doped hafnium oxide ferroelectric. Variation of electrical parameters with ferroelectric thickness has been examined. Subthreshold swing (SS) of 40 mV/dec has been achieved with ferroelectric thickness of 2 nm. An increasing trend in the I-ON/I-O(FF) ratio is observed with the increase in ferroelectric thickness. Moreover, the impact of temperature (300 K-500 K) on drain current as well as various RF parameter performance such as gate capacitance (C-GG), transconductance (gm), output conductance (g(d)), intrinsic delay, intrinsic gain (g(m)/g(d)), cut off frequency (f(t)) and transconductance frequency product (TFP) has been studied.
机译：本文提出了一种结合铁电隧道结的器件，该器件分析了跨硅掺杂的氧化ha铁电体隧穿的概念。已经研究了电参数随铁电厚度的变化。铁电厚度为2 nm时，亚阈值摆幅（SS）达到40 mV / dec。随着铁电体厚度的增加，观察到I-ON / I-O（FF）比的增加趋势。此外，温度（300 K-500 K）对漏极电流的影响以及各种RF参数性能，例如栅极电容（C-GG），跨导（gm），输出电导（g（d）），固有延迟，研究了固有增益（g（m）/ g（d）），截止频率（f（t））和跨导频率乘积（TFP）。

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