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Memristor based BPSK and QPSK demodulators with nonlinear dopant drift model

机译：具有非线性掺杂漂移模型的基于忆阻器的BPSK和QPSK解调器

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摘要

In this paper, the dependence of the instantaneous memristance value and its I-V characteristics on a periodic signal phase are studied. Hence, expression for the instantaneous memristance as a function of the periodic input phase is derived. This derivation is based on the memristor linear dopant drift model and is provided for sinusoidal input waveforms. To prove the tendency, simulations using linear and nonlinear dopant drift memristor models are performed in the Cadence simulation environment. Based on those, a set of digital communication demodulators are proposed and investigated exploiting the change of the average memristance with the initial phase of applied signal. The experimental-based 'nonlinear' dopant drift model is used in designing the proposed demodulators for Binary Phase Shift Keying (BPSK) and Quadrature Phase Shift Keying (QPSK) modulation schemes. Since all proposed demodulators are asynchronous, the proposed circuits do not need any carrier recovery circuits. Moreover, transient simulations have been executed showing the proper matching to the expected performance. (C) 2016 Elsevier Ltd. All rights reserved.
机译：本文研究了瞬时忆阻值及其I-V特性对周期信号相位的依赖性。因此，得出了瞬时忆阻与周期输入相位的函数关系式。此推导基于忆阻器线性掺杂物漂移模型，并提供给正弦输入波形。为了证明这种趋势，在Cadence仿真环境中使用线性和非线性掺杂物漂移忆阻器模型进行了仿真。在此基础上，提出了一组数字通信解调器，并利用平均忆阻随施加信号的初始相位的变化进行了研究。基于实验的“非线性”掺杂剂漂移模型用于为二进制相移键控（BPSK）和正交相移键控（QPSK）调制方案设计拟议的解调器。由于所有提出的解调器都是异步的，因此提出的电路不需要任何载波恢复电路。此外，已经执行了瞬态仿真，显示了与预期性能的正确匹配。 （C）2016 Elsevier Ltd.保留所有权利。

著录项

  • 来源
    《Microelectronics journal》 |2016年第10期|17-24|共8页
  • 作者

    Elashkar N. E.; Aboudina M.; Fahmy H. A. H.; Ibrahim G. H.; Khalil A. H.;

  • 作者单位

    Elect Res Inst, Microelect Dept, El Tahrir St, Giza 72622, Dokki, Egypt|Cairo Univ, Fac Engn, Elect & Elect Commun Engn, Giza 12631, Egypt;

    Cairo Univ, Fac Engn, Elect & Elect Commun Engn, Giza 12631, Egypt;

    Cairo Univ, Fac Engn, Elect & Elect Commun Engn, Giza 12631, Egypt;

    Elect Res Inst, Microelect Dept, El Tahrir St, Giza 72622, Dokki, Egypt;

    Cairo Univ, Fac Engn, Elect & Elect Commun Engn, Giza 12631, Egypt;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    BPSK; Memristor based demodulator; Nonlinear dopant drift model; QPSK;

    机译：BPSK;基于忆阻器的解调器;非线性掺杂漂移模型;QPSK;

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