...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Microelectronics journal >Extraction technique for characterization of electric field distribution and drain current in VDMOS power transistor
【24h】

Extraction technique for characterization of electric field distribution and drain current in VDMOS power transistor

机译：表征VDMOS功率晶体管中电场分布和漏极电流的提取技术

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

This paper presents a methodology for modeling the electric field distribution in the vertical direction of VDMOS power transistors, considering the effects of cell spacing and drain voltage. An accurate and consistent extraction technique is developed to extract the values of various important parameters based on non-linear and multivariable regression techniques for the first time. The generalized form of electric field distribution enables the physical modeling of drain current at the onset of quasi-saturation considering the effect of non-uniform electron distribution in the n-epi region. Results so obtained are in good agreement with PISCES simulation over wide range of device parameters. The proposed model will be highly suitable for CAD (Computer Aided Design) tools in HVIC applications.
机译：考虑到单元间距和漏极电压的影响，本文提出了一种用于建模VDMOS功率晶体管垂直方向电场分布的方法。首次开发了基于非线性和多变量回归技术的准确一致的提取技术来提取各种重要参数的值。考虑到电子在n-epi区域中的分布不均匀的影响，电场分布的一般形式使得能够在准饱和开始时对漏极电流进行物理建模。如此获得的结果与PISCES在广泛的器件参数上的仿真非常吻合。提出的模型将非常适合HVIC应用中的CAD（计算机辅助设计）工具。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号