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Micropower fully integrated CMOS readout interface for neural recording application

机译：微功率全集成CMOS读出接口，用于神经记录应用

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摘要

In this paper, we presented a micropower, small-size fully integrated CMOS readout interface for neural recording system. A crucial and important module of this system is the amplifier circuit with low-power low-noise. We describe a micropower low-noise readout circuit using an active feedback fully differential structure to reject the 1/f noise and large DC-offsets, the substrate-bias technology to further decrease the noise and power of the neural recording amplifier. Therefore, the neural amplifier with micropower low-noise and high input impedance is presented. The readout interface core, fully differential amplifier is implemented in 0.35-μm CMOS process, passes neural signals from 10 Hz to 9 kHz with an input-referred noise of 4.3 μV_(rms). The power consumption of single amplifier is 5.6 μW while consuming 0.03 mm2 of die area. The low cutoff frequencies of the circuit can adjusted from 10 Hz to 400 Hz, and the high cutoff frequencies form 4 kHz to 9 kHz.
机译：在本文中，我们介绍了一种用于神经记录系统的微功耗，小尺寸，完全集成的CMOS读出接口。该系统的关键和重要模块是具有低功率低噪声的放大器电路。我们描述了一种微功耗低噪声读出电路，该电路使用有源反馈全差分结构来抑制1 / f噪声和较大的DC偏移，采用衬底偏置技术进一步降低了神经记录放大器的噪声和功率。因此，提出了一种具有微功耗低噪声和高输入阻抗的神经放大器。读出接口核心全差动放大器采用0.35μmCMOS工艺实现，可传递10 Hz至9 kHz的神经信号，并具有4.3μV_（rms）的输入参考噪声。单个放大器的功耗为5.6μW，而芯片面积仅为0.03 mm2。电路的低截止频率可以在10 Hz至400 Hz的范围内调节，高截止频率可以在4 kHz至9 kHz的范围内调节。

著录项

  • 来源
    《Microelectronics reliability》 |2010年第2期|273-281|共9页
  • 作者

    Hongge Li; Wei Zhao; Youguang Zhang;

  • 作者单位

    Department of Electronic, School of Electronic Information Engineering, BeiHang University, Beijing 100191, China;

    rnDepartment of Electronic, School of Electronic Information Engineering, BeiHang University, Beijing 100191, China;

    rnDepartment of Electronic, School of Electronic Information Engineering, BeiHang University, Beijing 100191, China;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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