机译:过量掺杂的氧化铜中的临界温度与超流体密度的关系
Brookhaven Natl Lab, Upton, NY 11973 USA|Yale Univ, Dept Appl Phys, New Haven, CT 06520 USA;
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Brookhaven Natl Lab, Upton, NY 11973 USA;
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机译:拓扑相变对过掺杂铜氧化物超流密度的影响
机译:La2-xSrxCuO4掺杂中超流体密度的2?0 / kBTc比和温度依赖性
机译:强掺杂不足的超薄氧化铜薄膜超流体密度中的量子临界行为
机译:基板温度依赖于氧化铜薄膜的电气和光学性质
机译:费米表面研究和二维ACAR在高临界温度超导钇钡(2)铜(3)氧(7-x)系统中电子-正电子动量密度的温度依赖性。
机译:过渡金属二卤化物中临界温度下超流体密度的非常规缩放
机译:临界温度在过掺杂铜氧化物对超流体密度的依赖性