Superconductivity at 52 K in hole-doped C_(60)

J. H. Schoen; Ch. Kloc; B. Batlogg

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Superconductivity at 52 K in hole-doped C_(60)

机译：空穴掺杂C_（60）在52 K时的超导性

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Superconductivity in electron-doped C_(60) was first observed almost ten years ago. The metallic state and superconductivity result from the transfer of electrons from alkaline or alkaline-earth ions to the C_(60) molecule, which is known to be a strong electron acceptor. For this reason, it is very difficult to remove electrons from C_(60)-yet one might expect to see superconductivity at higher temperatures in hole-doped than in electron-doped C_(60), because of the higher density of electronic states in the valence band than in the conduction band. We have used the technique of gate-induced doping in a field-effect transistor configuration to introduce significant densities of holes into C_(60). We observe superconductivity over an extended range of hole density, with a smoothly varying transition temperature T_c that peaks at 52 K. By comparison with the well established dependence of T_c on the lattice parameter in electron-doped C_(60), we anticipate that T_c values significantly in excess of 100 K should be achievable in a suitably expanded, hole-doped C_(60) lattice.

机译：电子掺杂的C_（60）中的超导性是在大约十年前首次观察到的。金属态和超导性是由于电子从碱或碱土离子转移到C_（60）分子而产生的，C_（60）分子是强电子受体。因此，很难从C_（60）中除去电子，但是人们可能希望在掺杂空穴的温度比掺杂电子的C_（60）更高的温度下看到超导性，因为在这种情况下，电子态的密度更高。价带高于导带。我们已经使用场效应晶体管配置中的栅极感应掺杂技术将大量的空穴引入C_（60）。我们在扩展的空穴密度范围内观察到超导性，过渡温度T_c平稳变化，峰值为52K。通过与T_c对电子掺杂C_（60）中晶格参数的依赖关系的比较，我们可以预期T_c在适当扩展的，掺杂空穴的C_（60）晶格中，应该可以实现明显超过100 K的值。

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来源
《Nature》 |2000年第6812期|p.549-552|共4页
作者
J. H. Schoen; Ch. Kloc; B. Batlogg;
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作者单位

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);美国《化学文摘》(CA);
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正文语种 eng
中图分类自然科学总论;
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